IRFR5505TRPBF vs IRF9Z34NPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR5505TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF9Z34NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET, 19A, TO-220 | Infineon

IRF9Z34NPBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET, 19A, TO-220 | Infineon

IRF9Z34NPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR5505TRPBF IRF9Z34NPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
Polarity P-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET 5th generation) HEXFET (5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -72 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 110 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 57 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 2.2 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) —
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-220AB (through-hole, 3-pin)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Through Hole
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -19 A
Pulsed Drain Current (Idm) — -72 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 100 milliohm (typical)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 23.3 nC (per Mouser listing)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +175C (junction)
Pinout (G-D-S) — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PBF suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট