IRLL024NTRPBF vs IRLML0030TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLL024NTRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLML0030TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLL024NTRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 3.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.4 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.065 ohm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.4 nC | 3.6 nC typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic Level (5 V drive capable) | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | 1.0 W | — |
| Maximum Operating Junction Temperature | 175 C | — |
| প্যাকেজ | SOT-223 (4-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | IR HEXFET Power MOSFET |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 5.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.3 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +150C |
| MSL লেভেল | — | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |