IRLL024NTRPBF vs IRLML0030TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLL024NTRPBF tarafından Infineon ve IRLML0030TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLL024NTRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 3.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.4 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.065 ohm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.4 nC | 3.6 nC typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic Level (5 V drive capable) | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | 1.0 W | — |
| Maximum Operating Junction Temperature | 175 C | — |
| Paket | SOT-223 (4-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | IR HEXFET Power MOSFET |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 5.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.3 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |