IRLL2705TRPBF vs IRF8714TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLL2705TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF8714TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLL2705TRPBF | IRF8714TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 deg C to +175 deg C | -55C to +150C (junction) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ | SOT-223 | SO-8 (8-SOIC) |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 14 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 8.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 8.1 nC |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| পিন সংখ্যা | — | 8 |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free / RoHS Compliant |
| MSL লেভেল | — | 1 (per Infineon package qualification) |