IRLL2705TRPBF vs IRF8714TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLL2705TRPBF द्वारा Infineon और IRF8714TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLL2705TRPBF | IRF8714TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 deg C to +175 deg C | -55C to +150C (junction) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज | SOT-223 | SO-8 (8-SOIC) |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 14 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 8.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 8.1 nC |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| पिन काउंट | — | 8 |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free / RoHS Compliant |
| MSL स्तर | — | 1 (per Infineon package qualification) |