IRLL2705TRPBF vs IRF8714TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLL2705TRPBF מאת Infineon ו IRF8714TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLL2705TRPBF | IRF8714TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 deg C to +175 deg C | -55C to +150C (junction) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז | SOT-223 | SO-8 (8-SOIC) |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 14 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 8.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 8.1 nC |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| מספר פינים | — | 8 |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free / RoHS Compliant |
| רמת MSL | — | 1 (per Infineon package qualification) |