IRLML6246TRPBF vs IRLML6346TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLML6246TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLML6346TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLML6246TRPBF | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLML6246TRPBF | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) | HEXFET Power MOSFET |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 4.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 46 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.1 V (logic-level) | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 1.3 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (junction) | — |
| প্যাকেজ | SOT-23 (Micro3) | Micro3 / SOT-23 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free) | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| MSL লেভেল | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.4 A (TA=25C) |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55C to +150C |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |