IRLR3114ZTRPBF vs IRLR2908TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLR3114ZTRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLR2908TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLR3114ZTRPBF | IRLR2908TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 130 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V (typ) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V | 4.9 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 40 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 3.81 nF | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) | 140 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| প্যাকেজ | TO-252AA (DPAK) surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিনের সংখ্যা | 3 (2 + tab) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: Idm pulsed value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V | — | 28 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V | — | 22.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 22 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 120 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) range] |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |