IRLR3114ZTRPBF vs IRLR2908TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR3114ZTRPBF توسط Infineon و IRLR2908TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLR3114ZTRPBF IRLR2908TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C -55C to +175C
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 3 (2 + tab) —
وضعیت RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V — 28 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V — 22.5 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 120 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) range]
Configuration — Single with built-in diode
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت