IRLR3114ZTRPBF vs IRLR2908TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLR3114ZTRPBF מאת Infineon ו IRLR2908TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLR3114ZTRPBF | IRLR2908TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 130 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V (typ) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V | 4.9 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 40 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 3.81 nF | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) | 140 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| מארז | TO-252AA (DPAK) surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 (2 + tab) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: Idm pulsed value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V | — | 28 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V | — | 22.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 22 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 120 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) range] |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |