IRLR3636TRLPBF vs IRLR3636TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLR3636TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLR3636TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLR3636TRLPBF | IRLR3636TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | IR HEXFET® (IR MOSFET™) | IR HEXFET / IR MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM rating] | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.8 mΩ | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | — |
| Total Gate Charge (QG) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | 143 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C |
| প্যাকেজ | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet family) | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C | — | [DATA_NEEDED: I_D at 100C] |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V | — | 6.8 mOhm |
| Typical R_DS(on) at V_GS = 10V | — | 5.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) range] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | 33 nC |
| Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C | — | 143 W |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |