IRLR3636TRLPBF vs IRLR3636TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLR3636TRLPBF bằng Infineon và IRLR3636TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLR3636TRLPBF | IRLR3636TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | IR HEXFET® (IR MOSFET™) | IR HEXFET / IR MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM rating] | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.8 mΩ | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | — |
| Total Gate Charge (QG) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | 143 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C |
| Hộp | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet family) | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C | — | [DATA_NEEDED: I_D at 100C] |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V | — | 6.8 mOhm |
| Typical R_DS(on) at V_GS = 10V | — | 5.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) range] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | 33 nC |
| Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C | — | 143 W |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |