ISC011N06LM5ATMA1 vs BSC0911NDATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC011N06LM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC0911NDATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC011N06LM5ATMA1 | BSC0911NDATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC011N06LM5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS trench MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 288 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 1.15 mOhm | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 8 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (2 N-CH) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |