ISC011N06LM5ATMA1 vs BSC0911NDATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC011N06LM5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC0911NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC011N06LM5ATMA1 | BSC0911NDATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC011N06LM5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS trench MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 288 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 1.15 mOhm | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 8 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (2 N-CH) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |