ISC011N06LM5ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC011N06LM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUC60N06S5L073ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC011N06LM5ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC011N06LM5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | Trench (OptiMOS 5) |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 288 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | 52 W |
| RDS(on) max at VGS=10V | 1.15 mOhm | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 8 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | -55C to +175C |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| পিনের সংখ্যা | — | 8 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |