ISC011N06LM5ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N06LM5ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC60N06S5L073ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC011N06LM5ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench (OptiMOS 5)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W 52 W
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Paket PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55C to +175C
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Series — OptiMOS 5
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 60 A
On-Resistance RDS(on) max — 7.3 mΩ
Total Gate Charge (QG) — 17.4 nC
Pin Sayısı — 8
Configuration — Single N-Channel
Qualification — AEC-Q101 automotive grade
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin