ISC033N03LF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC033N03LF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC076N04NDATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISC033N03LF2SATMA1 BSC076N04NDATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
MPN ISC033N03LF2SATMA1 —
Part Family OptiMOS LF2 (<= 40V) —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench (<= 40V) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 108 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum On-Resistance RDS(on) max 3.3 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Junction Temperature (TJ) max [DATA_NEEDED: junction temperature max] —
Configuration Single N-channel, source-down Dual N-Channel (independent MOSFETs)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 C to +175 C
প্যাকেজ / কেস — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট