ISC033N03LF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC033N03LF2SATMA1 bằng Infineon và BSC076N04NDATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC033N03LF2SATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| MPN | ISC033N03LF2SATMA1 | — |
| Part Family | OptiMOS LF2 (<= 40V) | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS trench (<= 40V) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 108 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 22 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) max | 3.3 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 71 W | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Junction Temperature (TJ) max | [DATA_NEEDED: junction temperature max] | — |
| Configuration | Single N-channel, source-down | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |