ISC033N03LF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISC033N03LF2SATMA1 توسط Infineon و BSC076N04NDATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISC033N03LF2SATMA1 BSC076N04NDATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
MPN ISC033N03LF2SATMA1 —
Part Family OptiMOS LF2 (<= 40V) —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench (<= 40V) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 108 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum On-Resistance RDS(on) max 3.3 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Junction Temperature (TJ) max [DATA_NEEDED: junction temperature max] —
Configuration Single N-channel, source-down Dual N-Channel (independent MOSFETs)
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
بسته‌بندی / کیس — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت