ISC037N12NM6ATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC037N12NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPT017N12NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC037N12NM6ATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | 395 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C (junction) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -55C to +175C |
| পিন সংখ্যা | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |