ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC046N13NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC011N06LM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISC046N13NM6ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
প্যাকেজ / কেস PG-TDSON-8 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C -55C to +175C
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 5
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
প্যাকেজ — PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
পিন সংখ্যা — 8
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট