ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC046N13NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC046N13NM6ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
پیکیج / کیس PG-TDSON-8 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55C to +175C
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 5
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
پیکیج — PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
پن کی تعداد — 8
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں