ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC046N13NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC011N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC011N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| العلبة / الحالة | PG-TDSON-8 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 5 |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Part Number | — | ISC011N06LM5ATMA1 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 288 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.15 mOhm |
| العلبة | — | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |