ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC0802NLSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC046N13NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC0802NLSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC0802NLSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TDSON-8 | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 5 (Power MOSFET) |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Part Number | — | ISC0802NLSATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 150 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 22 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.6 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 125 W |
| প্যাকেজ | — | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |