ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC0802NLSATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC046N13NM6ATMA1 توسط Infineon و ISC0802NLSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC0802NLSATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TDSON-8 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 5 (Power MOSFET) |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Part Number | — | ISC0802NLSATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 150 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 22 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.6 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 125 W |
| بسته‌بندی | — | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |