ISC151N08NM6ATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC151N08NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC12DN20NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC151N08NM6ATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS power MOSFET |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8 FL | PG-TDSON-8-5 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিনের সংখ্যা | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 200V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 11.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| MSL লেভেল | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel |
| পিন সংখ্যা | — | 8 |