ISC151N08NM6ATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC151N08NM6ATMA1 द्वारा Infineon और BSC12DN20NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC151N08NM6ATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS power MOSFET |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL | PG-TDSON-8-5 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 200V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 11.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel |
| पिन काउंट | — | 8 |