ISC300N20NM6ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC300N20NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC045N03L5SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 ISC300N20NM6ATMA1 - 200V 44A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC300N20NM6ATMA1 - 200V 44A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC300N20NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
ISC045N03L5SATMA1 ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISC300N20NM6ATMA1 ISC045N03L5SATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 200V —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 6.5 A —
Power Dissipation (PD) at TC 136 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 27 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V —
প্যাকেজ PG-TDSON-8 SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 5 / Trench
Operating Mode Enhancement —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 °C to +150 °C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট