ISC300N20NM6ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC300N20NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC045N03L5SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 - 200V 44A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
ISC045N03L5SATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC300N20NM6ATMA1 | ISC045N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 200V | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 44 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 6.5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 136 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 27 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V | — |
| Hộp | PG-TDSON-8 | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 / Trench |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | ISC045N03L5SATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 63 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V @ ID=250 µA |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF @ VDS=15 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +150 °C |