ISC300N20NM6ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC300N20NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC045N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 - 200V 44A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC300N20NM6ATMA1 | ISC045N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 200V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 44 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 6.5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 136 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 27 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V | — |
| Paket | PG-TDSON-8 | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 / Trench |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | ISC045N03L5SATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 63 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V @ ID=250 µA |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF @ VDS=15 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +150 °C |