ISK057N04LM6ATSA1 vs BSC014N04LSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISK057N04LM6ATSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC014N04LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISK057N04LM6ATSA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 15 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 64 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 39.1 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 8.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 12 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 290 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 21 pF | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C | -55C to +175C |
| প্যাকেজ | PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 6 Trench | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| MSL লেভেল | — | 1 (unlimited) |