ISK057N04LM6ATSA1 vs BSC014N04LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISK057N04LM6ATSA1 tarafından Infineon ve BSC014N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISK057N04LM6ATSA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 15 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 64 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 39.1 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 8.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 12 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 290 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 21 pF | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55C to +175C |
| Paket | PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 6 Trench | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited) |