ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISC009N06NM6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISZ072N06NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC009N06NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISZ072N06NM6ATMA1 | ISC009N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | OptiMOS 6 60 V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55 °C to +175 °C |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C | — | 344 A |
| Power Dissition (PD) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 221 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| AEC-Q101 Qualification | — | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] |