ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISC009N06NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISZ072N06NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC009N06NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISZ072N06NM6ATMA1 | ISC009N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | OptiMOS 6 60 V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| Tiêu hao điện năng (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55 °C to +175 °C |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C | — | 344 A |
| Power Dissition (PD) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 221 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| AEC-Q101 Qualification | — | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] |