ISZ230N10NM6ATMA1 vs IPT60R050G7XTMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISZ230N10NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPT60R050G7XTMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISZ230N10NM6ATMA1 | IPT60R050G7XTMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Superjunction N-Channel MOSFET |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-HSOF-8-2 (TO-Leadless / TOLL) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +150 °C (junction) | -55C to +150C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| MSL লেভেল | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS G7 (C7 Gold) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 44 A |
| Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max | — | 50 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 245 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ value] |
| Kelvin Source Pin | — | Yes (pin 8) |