ISZ230N10NM6ATMA1 vs IPT60R050G7XTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ230N10NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPT60R050G7XTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ230N10NM6ATMA1 IPT60R050G7XTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (Ta) 7.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 31 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 23 mΩ (typ, ID=10A) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.3 V (typ at 13 µA) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET Superjunction N-Channel MOSFET
پیکیج PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) PG-HSOF-8-2 (TO-Leadless / TOLL)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
MSL لیول MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Family OptiMOS 6 (100V class) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS G7 (C7 Gold)
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 600 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 44 A
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max — 50 mOhm
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 245 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg typ value]
Kelvin Source Pin — Yes (pin 8)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں