ISZ230N10NM6ATMA1 vs IPT60R050G7XTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISZ230N10NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IPT60R050G7XTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISZ230N10NM6ATMA1 | IPT60R050G7XTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Superjunction N-Channel MOSFET |
| पैकेज | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-HSOF-8-2 (TO-Leadless / TOLL) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C (junction) | -55C to +150C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| MSL स्तर | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS G7 (C7 Gold) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 44 A |
| Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max | — | 50 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 245 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ value] |
| Kelvin Source Pin | — | Yes (pin 8) |