K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WF-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G165WD-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A4G165WF-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WF-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $10.65 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ডেটা রেট | 2133 MT/s | 3200 Mbps |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| প্যাকেজ | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | Samsung F-die |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| ইন্টারফেস | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | Parallel |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (lead-free suffix) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Access Time | — | 19 ns |
| Data Mask | — | Supported (DM) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT supported |
| CRC | — | Supported |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |