K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WF-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WD-BCPB द्वारा Samsung Electronics और K4A4G165WF-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WF-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $10.65 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 2133 MT/s | 3200 Mbps |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | Samsung F-die |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | Parallel |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free suffix) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Access Time | — | 19 ns |
| Data Mask | — | Supported (DM) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT supported |
| CRC | — | Supported |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |