K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WF-BCWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WF-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCPB K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCWE K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G165WD-BCPB K4A4G165WF-BCWE
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $10.65
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
تنظیم 256M x 16 256M x 16
ڈیٹا ریٹ 2133 MT/s 3200 Mbps
Core Voltage 1.2 V —
پیکیج FBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Die Generation D-die Samsung F-die
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] —
Burst Length 8 (BL8, fixed/chop) —
انٹرفیس DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) Parallel
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Pb-Free Yes (per Samsung part-numbering suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free suffix) Compliant (per JLCPCB listing)
Refresh Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) —
Memory Density — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
سپلائی وولٹیج — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Access Time — 19 ns
Data Mask — Supported (DM)
ZQ Calibration — Supported
On-Die Termination — Dynamic ODT supported
CRC — Supported
Auto Precharge — Supported
Asynchronous Reset — Supported

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں