K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WG-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G165WE-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A4G165WG-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung
K4A4G165WE-BCTD ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $16.90 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ইন্টারফেস | Parallel, x16 | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | — |
| প্যাকেজ | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Terminal Count | 96 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | 0C to +85C |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Product Status | Active | Active |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| ডেটা রেট | — | 3200 Mbps |
| Access Time | — | 19 ns |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval] |