K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WG-BCWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WE-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G165WE-BCTD K4A4G165WG-BCWE
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $16.90
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
میموری سائز 4 Gbit 4 Gbit
Memory Organization 256M x 16 256M x 16
انٹرفیس Parallel, x16 Parallel
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Die Generation E-die —
پیکیج FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96
Terminal Count 96 —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C 0C to +85C
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per JLCPCB listing) Compliant (per JLCPCB listing)
Product Status Active Active
Datasheet Revision K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 —
Burst Length BL8 (JEDEC DDR4) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4) —
ڈیٹا ریٹ — 3200 Mbps
Access Time — 19 ns
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Memory Format — DRAM
Technology — DDR4
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range]
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh interval]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں