K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WG-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G165WE-BCTD توسط Samsung Electronics و K4A4G165WG-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $16.90 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | 256M x 16 |
| رابط | Parallel, x16 | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Terminal Count | 96 | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | 0C to +85C |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Product Status | Active | Active |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| نرخ داده | — | 3200 Mbps |
| Access Time | — | 19 ns |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval] |