K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WE-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G165WF-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A4G165WE-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung
K4A4G165WE-BCTD ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | DRAM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $10.65 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | 0C to +85C |
| প্যাকেজ | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (TFBGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel, x16 |
| Die Generation | Samsung F-die | E-die |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| মেমরি সাইজ | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |