K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WE-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WF-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WE-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $10.65 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | 0C to +85C |
| پیکیج | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| انٹرفیس | Parallel | Parallel, x16 |
| Die Generation | Samsung F-die | E-die |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |