K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WB-BITD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WB-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BCRC
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
সংগঠন 1G x 8 1G x 8
ডেটা রেট 2666 Mbps 2400 Mbps
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V 1.2 V
অপারেটিং তাপমাত্রা -40°C to +95°C 0°C to 85°C
প্যাকেজ 78FBGA 78-ball FBGA
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount —
পিনের সংখ্যা 78 —
CAS লেটেন্সি [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
ইন্টারফেস Parallel —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Lead-Free Yes —
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট