K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BITD توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 2666 Mbps | 2400 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| دمای کاری | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| بسته‌بندی | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| تعداد پین‌ها | 78 | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| رابط | Parallel | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |