K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BITD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps 2400 Mbps
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت -40°C to +95°C 0°C to 85°C
پیکیج 78FBGA 78-ball FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
پنز کی تعداد 78 —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
انٹرفیس Parallel —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں