M29W640GB70N3E vs M29W320DB70N3F তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W640GB70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W320DB70N3F নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29W640GB70N3E M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W640GB70N3E ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29W320DB70N3F M29W320DB70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DB70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DB70N3F ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29W640GB70N3E M29W320DB70N3F
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Flash
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash NOR Flash
Density 64 Mbit (8 MByte) 32 Mbit (33554 kbits)
ইন্টারফেস Parallel, asynchronous Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
সাপ্লাই ভোল্টেজ 2.7 V to 3.6 V —
সংগঠন 4M x16 / 8M x8 2 M x 16
Boot Block Bottom boot block (GB) —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +125C -40C to +125C
প্যাকেজ 48-TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Programming Word/Byte program, block erase —
Command Set M29W family standard command set —
Chipset Validation N/A —
FBGA Code N/A —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Technology — Parallel NOR Flash
Bus Width — x8/x16 selectable
Supply Voltage (VCC) — 3.0 V to 3.6 V
VPP Fast Program Voltage — 12 V
Block Organization — Non-uniform parameter blocks, boot block (DB = bottom boot block)
Packaging Variant (TR) — Tape & Reel available (M29W320DB70N3F TR)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট