MRF6S9160HSR3 vs MRF6S9130HSR3 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRF6S9160HSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF6S9130HSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

NXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 MRF6S9160HSR3 - 880MHz 35W RF Power LDMOS | NXP Semiconductors

MRF6S9160HSR3 - 880MHz 35W RF Power LDMOS | NXP Semiconductors

MRF6S9160HSR3 ⚠ শেষ কিনার সময়
NXP Semiconductors
MRF6S9130HSR3 MRF6S9130HSR3 - 27W 880MHz RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9130HSR3 - 27W 880MHz RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9130HSR3 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MRF6S9160HSR3 MRF6S9130HSR3
ব্র্যান্ড NXP Semiconductors NXP Semiconductors
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস শেষবার কেনার সুযোগ সক্রিয়
ট্রানজিস্টর টাইপ LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Lateral N-Channel RF Power MOSFET (LDMOS)
Application RF Power Amplifier —
Operating Frequency 865 MHz to 960 MHz 880 MHz
Test Frequency 880 MHz —
Drain-Source Voltage (Vdss) Rated 68 V —
Operating Voltage (VDD) 28 V —
Test Bias Current (IDQ) 1.2 A —
Output Power (Pout, Avg.) 35 W Avg. —
Power Gain 20.9 dB typical at 880 MHz —
Drain Efficiency 31% typical at 880 MHz [DATA_NEEDED: drain efficiency figure]
ACPR @ 750 kHz Offset -46.8 dBc (N-CDMA) —
প্যাকেজ NI-780S (CASE 465-06, STYLE 1) ceramic flange-mount —
মাউন্টিং টাইপ Flange / Chassis Mount with screw holes Chassis / flange mount with screw-down
Lead-Free Status Lead free (HSR3 suffix) —
Designed Waveforms N-CDMA, GSM, GSM EDGE, multicarrier —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (Vdss) Max — 68 V
Drain Current (Id) Max — [DATA_NEEDED: maximum pulsed drain current]
Typical Quiescent Current (Idq) — 950 mA
Drain-Source On Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Output Power (Pout) Avg — 27 W (N-CDMA single-carrier)
Power Gain (Gps) — 19.2 dB typical
Supply Voltage (Vdd) Recommended — 28 V
প্যাকেজ / কেস — NI-780S (CASE 465-06, Style 1) ceramic flange
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — [DATA_NEEDED: Tj operating range]
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: Tstg range]
পিন সংখ্যা — 3
Style — Style 1
Technology — LDMOS (laterally diffused MOS)
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Lead-Free — Yes
Packing — Tape & Reel (HSR3 suffix)
Primary Applications — N-CDMA, GSM, GSM EDGE base station PAs, 880-960 MHz multicarrier amplifiers

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট